【學(xué)術(shù)報(bào)告】開發(fā)4D-STEM技術(shù)表征非晶材料
日期：2024-07-25
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主題：開發(fā)4D-STEM技術(shù)表征非晶材料
報(bào)告人：穆曉柯，蘭州大學(xué)材料與能源學(xué)院、電子顯微鏡中心教授
時(shí)間：2024年7月25日（周四）10:00-11:30
地點(diǎn)：徐名材報(bào)告廳（霞光樓200）
邀請人：劉晰 教授
個人簡介
穆曉柯，蘭州大學(xué)材料與能源學(xué)院、電子顯微鏡中心教授，國家級青年人才。在德國馬普學(xué)會斯圖加特電子顯微學(xué)中心取得博士學(xué)位，之后長期工作于卡爾斯魯厄理工(KIT)，作為課題組長主持德國科學(xué)基金會(DFG)和亥姆霍次協(xié)會成像平臺(HIP)的電子顯微學(xué)方法開項(xiàng)目，主要解決非晶納米材料的表征難題。后又加入荷蘭Eindhoven的Thermofsher公司FEI電子光學(xué)部，負(fù)責(zé)針對先進(jìn)半導(dǎo)體制程的表征方法及開發(fā)。2023年底加入蘭州大學(xué)。
報(bào)告人摘要
電子顯微鏡已經(jīng)成為材料微觀表征的重要工具，然而常規(guī)透射電鏡技術(shù)存在若干關(guān)鍵不足:
1、信息來源于納米局域，沒有足夠的統(tǒng)計(jì)性來揭示材料的整體性質(zhì);2、無法有效表征原子排列長程無序的非晶體材料，限制了其在有機(jī)化工、醫(yī)學(xué)藥品、玻璃、半導(dǎo)體等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用:3、對于磁場、應(yīng)變場等低襯度物理量不敏感。本報(bào)告將講述作者在電子顯微技術(shù)上為解決以上問題所做的一些嘗試。新技術(shù)融合了四維掃描透射電子顯微(4D-SIEM)技術(shù)和原子成對分布函數(shù)(Pair?Distribution?Function，PDF)分析方法、晶體取向分析(orientation?mapping)、應(yīng)變分布成像(StrainMapping)、磁場與材料結(jié)構(gòu)聯(lián)合成像等手段面對以上問題，并應(yīng)用在:解析電池材料長期循環(huán)后的缺陷區(qū)的化學(xué)鍵、低電子劑量下分析有機(jī)半導(dǎo)體復(fù)合材料的原子結(jié)構(gòu)和成像其中納米相的分布、金屬玻璃變形區(qū)的結(jié)構(gòu)和殘余彈性應(yīng)變分布對鐵磁類玻璃的磁結(jié)構(gòu)的影響。
