【25th.Apr.】電催化劑缺陷化學(xué)
日期：2018-04-25
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題目：電催化劑缺陷化學(xué)
演講人：王雙印，“青千”，教授，博導(dǎo)；湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院。
時(shí)間：4月25日（周三）下午兩點(diǎn)
地點(diǎn)：建工樓431室
邀請(qǐng)人：張帆 研究員
報(bào)告人簡(jiǎn)介：
王雙印，中組部 “青年千人計(jì)劃”入選者, 現(xiàn)為湖南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。2006年本科畢業(yè)于浙江大學(xué)化工系，2010年在新加坡南洋理工大學(xué)獲得博士學(xué)位，隨后在美國凱斯西儲(chǔ)大學(xué)，德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校、英國曼徹斯特大學(xué)（瑪麗居里學(xué)者）開展研究工作。
? ?主要研究方向?yàn)殡姶呋瘎┑谋砻嬲{(diào)控。目前，已在國際著名期刊JACS, Angew. Chem，Advanced Materials，EES，ACS Nano等發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇，SCI總引用5800余次，h-index為37。
報(bào)告內(nèi)容：電催化過程主要發(fā)生在電催化劑的表面。因此，在催化劑設(shè)計(jì)中，針對(duì)電催化劑的表面設(shè)計(jì)與調(diào)控至關(guān)重要。那么，什么樣的表面對(duì)電催化性能較為有利呢？早期的大量研究表明，電催化劑的表面缺陷，包括雜質(zhì)缺陷、空位缺陷、填隙缺陷等，對(duì)電催化性能的提高具有正效應(yīng)。事實(shí)上，多數(shù)催化劑晶體在制備過程中都不可避免地引入各種類型的缺陷。但是，如何可控的產(chǎn)生缺陷、調(diào)控缺陷類型、控制缺陷濃度還需要深入系統(tǒng)的研究。與此同時(shí)，缺陷與性能之間的構(gòu)效關(guān)系也需要進(jìn)一步的梳理。因此，圍繞缺陷化學(xué)，對(duì)電催化劑進(jìn)行表面調(diào)控具有非常大的研究空間。本文將介紹近年來，我們課題組在催化劑表面調(diào)控,尤其是缺陷化學(xué)方面取得的進(jìn)展。
代表性論文：
[1]. S. Dou, ?S. Wang, Adv. Fun. Mater., 2017, DOI:10.1002/adfm.201702546.?
[2]. R. Liu, Y. Zou, S. Wang, Advanced Materials, 2017, 10.1002/adma.201701546?
[3]. Y. Wang, S. Wang, ?Angew. Chem. Int. Ed. 2017, DOI: 10.1002/anie.201701477.?
[4]. D. Yan, ?S. Wang, Advanced Materials, 2017, DOI ：10.1002/adma.201606459?
[5]. Z. Liu, ?Z. Xia, ?and S. Wang, ?Advanced Materials, 2017, DOI: 10.1002/adma.201606207?
[6]. Q. Jiang, H. Zhang, L. Dai and S. Wang, Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 13849-13853?
[7]. L. Xu, S. Wang, Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 5277-5281?
[8]. Z. Ma, L. Dai, S. Wang, Angew. Chem. Int. Ed. 2015, 54, 1888-1892?
[9]. A.Shen, L. Dai, S. Wang, ?Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 10804?
[10]. S. Dou, ?S. Wang, Energy & Environmental Science, 2016, 9，1320-1326?
